مواد نیمه هادی مواد اصلی وسایل میکروالکترونیکی و دستگاه های فتوولتائیک هستند. ناخالصی و ویژگی های نقص آنها به طور جدی بر عملکرد دستگاه تأثیر می گذارد. با افزایش ادغام دستگاههای میکروالکترونیکی و راندمان تبدیل دستگاههای فتوولتائیک ، الزامات مربوط به مواد اولیه نیمه هادی در حال افزایش است. به منظور پاسخگویی به نیازهای تولید صنعتی ، از روش تشخیص مواد لازم است ضمن جلوگیری از آسیب رساندن به مواد ، از حساسیت بالاتر و سرعت اندازه گیری سریعتر برخوردار باشد. حاملها ناقلهای کاربردی مواد نیمه هادی هستند و خصوصیات حمل و نقل آنها عملکرد دستگاههای مختلف نوری از جمله طول عمر حامل ، ضریب انتشار و میزان نوترکیبی سطح را تعیین می کند. فناوری تابش نوری حامل نوعی روش تست غیر مخرب تمام نوری برای اندازه گیری همزمان پارامترهای حمل و نقل حامل است ، اما این روش هنوز محدودیت هایی در اندازه گیری و توصیف پارامترهای حمل و نقل حامل دارد ، مانند مدل نظری کاربردی بودن ، دقت اندازه گیری و سرعت پارامترها
با حمایت بنیاد ملی علوم طبیعی چین ، پژوهشکده فناوری نوری و الکترونیکی آکادمی علوم چین با هدف حل مشکلات فوق و ایجاد یک مدل تابش فوتو نوری غیرخطی با مواد سیلیکون نیمه هادی سنتی به عنوان هدف تحقیق و برپایی آن ، به ترتیب نور چند نقطه ای ارائه شده فن آوری تابش حامل و فن آوری تصویربرداری تابش تابش فتوشیمیایی حالت پایدار فن آوری فوق از طریق محاسبات شبیه سازی و اندازه گیری های تجربی را تأیید کرده است. فن آوری تابش نور چند نقطه حامل می تواند به طور کامل تاثیر پاسخ فرکانس سیستم اندازه گیری را بر نتایج اندازه گیری از بین ببرد و دقت اندازه گیری پارامترهای حمل و نقل حامل را بهبود بخشد. سیلیکون تک کریستالی از نوع P با مقاومت 0 {11}} - 0 {{6}} Ω؟ Cm به عنوان مثال ، فناوری تابش نور حامل چند نقطه پیشنهادی ، عدم اطمینان اندازه گیری طول حامل ، ضریب انتشار و میزان نوترکیبی سطح از سنتی 8 {8} را کاهش می دهد. 9، ، ± {{{17 }}}} 9. {11}} and و 00 1 00 1 0 gt؛ ± {{13} to تا ± {11}} 0} {15}}، ،، ± {1 6}}. 6 and و ± {18}}}. {19}. علاوه بر این ، فناوری تصویر برداری تابش فتوکاردایر در حالت پایدار مدل نظری و دستگاه اندازه گیری را ساده می کند ، میزان اندازه گیری به میزان قابل توجهی بهبود یافته است و از پتانسیل کاربرد صنعتی بیشتری برخوردار است.